Behlke高壓開關SiC和溝槽FET ： 通過碳化硅FET（SiC）或溝槽FET技術實現低的導通電阻 ● 具有真正繼電器特性的多功能HV開關 ● 可通過TTL信號控制導通時間 ● 低動態開關損耗和 低的導通損耗 ● 適用于工業電源應用 ● 過載和電壓反轉方面均很堅固 ● 的dv / dt抗高壓瞬變能力 。
Behlke高壓開關雙向/交流電壓MOSFET ：具有真正繼電器特性的多功能HV開關●性無關●非常適合振蕩電路和常規RF應用●可通過TTL信號控制導通時間●過載和電壓反轉方面都很●現在可用：LC2技術可提供高的瞬態抗擾性。
Behlke高壓開關雙向/交流電壓MOSFET ：具有真正繼電器特性的多功能HV開關●性無關●非常適合振蕩電路和常規RF應用●可通過TTL信號控制導通時間●過載和電壓反轉方面都很●現在可用：LC2技術可提供高的瞬態抗擾性。
Behlke高壓開關雙向/交流電壓MOSFET ：具有真正繼電器特性的多功能HV開關●性無關●非常適合振蕩電路和常規RF應用●可通過TTL信號控制導通時間●過載和電壓反轉方面都很●現在可用：LC2技術可提供高的瞬態抗擾性。
Behlke高壓開關 MCT ： ● 具有真正繼電器特性的多功能高壓開關 ● 可通過TTL信號控制導通時間 ● 低導通損耗 ● 高浪涌電流能力 ● 200安培關斷能力 ● 的dv / dt抗高壓瞬變能力 。
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